Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- RS-varenummer:
- 180-7909
- Producentens varenummer:
- SIS412DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 60,44
(ekskl. moms)
Kr. 75,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.480 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,022 | Kr. 60,44 |
| 200 - 480 | Kr. 2,962 | Kr. 59,24 |
| 500 - 980 | Kr. 2,33 | Kr. 46,60 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,822 | Kr. 36,44 |
| 2000 + | Kr. 1,635 | Kr. 32,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7909
- Producentens varenummer:
- SIS412DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.03Ω | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 15.6W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Længde | 3.61mm | |
| Højde | 0.79mm | |
| Bredde | 3.61 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.03Ω | ||
Effektafsættelse maks. Pd 15.6W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Længde 3.61mm | ||
Højde 0.79mm | ||
Bredde 3.61 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er et N-kanal PowerPAK-1212-8 hus, der er et nyt produkt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 24 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 15,6 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• halogen- og blyfrit (Pb) komponent
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• Belastningskontakter
• Notebook-pc'er
• systemstrøm
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 12 A 30 V PowerPAK 1212-8
- Vishay Type N-Kanal 25 A 20 V PowerPAK 1212-8
- Vishay N-Kanal 24 8 ben TrenchFET SiS890ADN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 33 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 66 8 ben, PowerPAK 1212-8S SiSS78LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS
- Vishay Type N-Kanal 69.4 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET