Vishay N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8

RS-varenummer:: 180-7909
Producentens varenummer:: SIS412DN-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 96,58

(ekskl. moms)

Kr. 120,72

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

3.240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 4,829	Kr. 96,58

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7909
Producentens varenummer:: SIS412DN-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	12A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	PowerPAK 1212-8
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.03Ω
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	3.8nC
	Effektafsættelse maks. Pd	15.6W
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	0.79mm
	Længde	3.61mm
	Standarder/godkendelser	IEC 61249-2-21
	Bredde	3.61mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype PowerPAK 1212-8
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.03Ω
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.8nC
	Effektafsættelse maks. Pd 15.6W
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 0.79mm
	Længde 3.61mm
	Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21
	Bredde 3.61mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 12 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIS412DN-T1-GE3

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til strømswitching i kompakte elektroniske systemer. Den fungerer ved en maksimal drain-source-spænding på 30 V og understøtter vedvarende drain-strømme, der er velegnet til anvendelser med mellemstor effekt. Komponenten er beregnet til montering på kortniveau i konstruktioner, hvor der kræves lave ledningstab og moderat effekthåndtering, og fungerer pålideligt over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding på 0,03 Ω for reducerede ledningstab
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm 12 A for højere belastningsevne
• Typisk gate-ladning Qg 3,8 nC, der muliggør hurtigere skifteovergange
• Nominelt effekttab på 15,6 W for vedvarende termisk ydeevne
• Gate-source spændingstolerance ±20 V for drevfleksibilitet
• Driftsområde fra -55 til 150 °C til anvendelse i et bredt temperaturområde

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformere i kompakte forsyninger
• Ideel til batteristyring og strømfordelingsfaser
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver kobling med høj strøm
• Kan bruges til belastningskontakter i telekommunikationsudstyr
• Nyttig i LED-drivere, hvor lav Rds(on) reducerer varmen

Hvilken pakketype skal jeg forvente ved planlægning af fodaftryk?

Enheden leveres i en PowerPAK 1212-8-pakke til overflademontering, der måler 3,61 x 3,61 mm, hvilket muliggør printkortlayouter med høj tæthed og effektiv termisk kontakt til kobberplaner.

Hvordan opfører enheden sig termisk under belastning?

Ved dens maksimale effekttab på 15,6 W kræver enheden passende termisk PCB-design, da forbindelses-til-omgivelsesvarmen skal styres, så den forbliver inden for den maksimale driftstemperatur på 150 °C.

Hvilke koblingsegenskaber påvirker valg af driver?

Med en typisk gate-ladning på 3,8 nC skal gate-drevet forsyne korte strømimpulser under overgange

Dette sænker koblingstab, men kræver hensyntagen til driverens spidsstrøm og gate-modstand.

Er der grænser for omvendt ledning til brug i synkrone kredsløb?

Den fremadrettede spænding er specificeret som 1,2 V, så ledningsføring og genopretningsadfærd fra body-diode bør evalueres i synkronretningstopologier for at vurdere tab under hændelser med omvendt strøm.