Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 42 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 180-7404
- Producentens varenummer:
- SQJ488EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Manglende forsyning
På grund af en global forsyningsmangel ved vi ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 180-7404
- Producentens varenummer:
- SQJ488EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8L | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.021Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5.25mm | |
| Bredde | 6.25 mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Højde | 1.14mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8L | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.021Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5.25mm | ||
Bredde 6.25 mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Højde 1.14mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SQJ457EP er en N-kanal 175 oC maksimal samledstemperatur MOSFET, der har dræn til kilde-spænding (VdS) på 100 V. Gate til kildespænding (VGS) er 20 V. Den har Power PAK SO-8L-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,021 ohm ved 10 VGS og 0,0258 ohm ved 4,5 VGS. Maks. drænstrøm 42A.
Trench FET Power MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 42 A 100 V PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ488EP-T1_GE3
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 36 A 60 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 36 A 60 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101 SQJ457EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 243 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ140ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ186EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ170ELP-T1_GE3
