Vishay 1 N-Kanal Enkelt, MOSFET, 42 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
180-7404
Producentens varenummer:
SQJ488EP-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

42A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK SO-8L

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.021Ω

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

27nC

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Enkelt

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Højde

1.14mm

Bredde

6.25mm

Længde

5.25mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay SQJ457EP er en N-kanal 175 oC maksimal samledstemperatur MOSFET, der har dræn til kilde-spænding (VdS) på 100 V. Gate til kildespænding (VGS) er 20 V. Den har Power PAK SO-8L-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,021 ohm ved 10 VGS og 0,0258 ohm ved 4,5 VGS. Maks. drænstrøm 42A.

Trench FET Power MOSFET

AEC-Q101 kvalificeret

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.