Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.7 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 Nej SI7414DN-T1-E3
- RS-varenummer:
- 180-7745
- Producentens varenummer:
- SI7414DN-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 91,56
(ekskl. moms)
Kr. 114,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.385 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 18,312 | Kr. 91,56 |
| 50 - 120 | Kr. 15,558 | Kr. 77,79 |
| 125 - 245 | Kr. 13,524 | Kr. 67,62 |
| 250 - 495 | Kr. 11,16 | Kr. 55,80 |
| 500 + | Kr. 8,782 | Kr. 43,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7745
- Producentens varenummer:
- SI7414DN-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.025Ω | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.8W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.61mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Bredde | 3.61 mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.025Ω | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.8W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.61mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Bredde 3.61 mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret N-kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 25 m ved en gate-kildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 1,5 W og kontinuerlig drænstrøm på 5,6 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• PWM optimeret
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• Motordrev
• primære sidekontakter
• synkron ensretter
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
Relaterede links
- Vishay, MOSFET SI7414DN-T1-E3
- Vishay, MOSFET SI7898DP-T1-E3
- Vishay, MOSFET SI7216DN-T1-E3
- Vishay N-Kanal 2 8-SOIC SI4948BEY-T1-E3
- Vishay N-Kanal 5 TSSOP-8 SI6968BEDQ-T1-E3
- Vishay N-Kanal 1 PowerPAK SO-8 SI7464DP-T1-E3
- Vishay N-Kanal 2 PowerPAK 1212-8 SI7818DN-T1-E3
- Vishay P-Kanal 3 PowerPAK SO-8 SI7465DP-T1-E3
