Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7309DN Nej SI7309DN-T1-E3
- RS-varenummer:
- 710-3386
- Producentens varenummer:
- SI7309DN-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 45,33
(ekskl. moms)
Kr. 56,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 8.725 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,066 | Kr. 45,33 |
| 50 - 245 | Kr. 6,344 | Kr. 31,72 |
| 250 - 495 | Kr. 5,596 | Kr. 27,98 |
| 500 - 1245 | Kr. 4,728 | Kr. 23,64 |
| 1250 + | Kr. 4,278 | Kr. 21,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-3386
- Producentens varenummer:
- SI7309DN-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | Si7309DN | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.115Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.05mm | |
| Højde | 1.04mm | |
| Bredde | 3.05 mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie Si7309DN | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.115Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.05mm | ||
Højde 1.04mm | ||
Bredde 3.05 mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 3 8 ben, PowerPAK 1212-8 SI7309DN-T1-E3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 5.4 A 30 V PowerPAK 1212 SI7501DN-T1-E3
- Vishay N-Kanal 2 PowerPAK 1212-8 SI7818DN-T1-E3
- Vishay P-Kanal 3 PowerPAK SO-8 SI7465DP-T1-E3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 5.3 A 8 ben TrenchFET SI4559ADY-T1-E3
- Vishay P-Kanal 22 A 20 V PowerPAK 1212-8 SIS415DNT-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 35 A 20 V PowerPAK 1212-8 SI7615ADN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 9 8 ben, PowerPAK 1212-8 SI7121DN-T1-GE3