Vishay Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET Nej SI7139DP-T1-GE3

RS-varenummer:: 180-7890
Producentens varenummer:: SI7139DP-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET Nej SI7139DP-T1-GE3

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 39,93

(ekskl. moms)

Kr. 49,91

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 3.700 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 +	Kr. 3,993	Kr. 39,93

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7890
Producentens varenummer:: SI7139DP-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	40A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	PowerPAK SO-8
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	00090Ω
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	48W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	49.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Længde	6.25mm
	Bredde	5.26 mm
	Højde	1.12mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype PowerPAK SO-8
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 00090Ω
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 48W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Længde 6.25mm
	Bredde 5.26 mm
	Højde 1.12mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay MOSFET er en P-kanal, PowerPAK-SO-8 pakke, som er et nyt produkt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-source-spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 5,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 48 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• halogen- og blyfrit (Pb) komponent

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakter

• batterikontakter

• Belastningskontakter

• Notebook computere

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet