Vishay Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-7890
- Producentens varenummer:
- SI7139DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 47,20
(ekskl. moms)
Kr. 59,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.700 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,72 | Kr. 47,20 |
| 100 - 240 | Kr. 4,668 | Kr. 46,68 |
| 250 - 490 | Kr. 4,608 | Kr. 46,08 |
| 500 - 990 | Kr. 4,548 | Kr. 45,48 |
| 1000 + | Kr. 4,495 | Kr. 44,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7890
- Producentens varenummer:
- SI7139DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 00090Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Højde | 1.12mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 00090Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Højde 1.12mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 6.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en P-kanal, PowerPAK-SO-8 pakke, som er et nyt produkt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-source-spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 5,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 48 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• halogen- og blyfrit (Pb) komponent
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakter
• batterikontakter
• Belastningskontakter
• Notebook computere
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal Enkelt 40 A 30 V PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 50 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -153.2 A -20 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -267 A -20 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -136.7 A -20 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal Enkelt 18 A 20 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 60 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 74 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET