Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt, TrenchFET Power MOSFET, 120 A 60 V, 3 Ben, TO-263, SQM AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 147,43

(ekskl. moms)

Kr. 184,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.610 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 29,486Kr. 147,43

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7921
Producentens varenummer:
SQM120P06-07L_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

TrenchFET Power MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SQM

Emballagetype

TO-263

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.0067Ω

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

270nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Enkelt

Længde

0.625in

Højde

0.19in

Bredde

0.41 in

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, RoHS

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay MOSFET


Vishay MOSFET er en P-kanal, TO-263-3 pakke, som er et nyt produkt i en alder med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 6,7 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 375 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• halogen- og blyfrit (Pb) komponent

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• hus, lav termisk modstand

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• adapterkontakter

• Belastningskontakter

• Notebook-pc'er

Relaterede links

Recently viewed