Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 5 A 500 V, 3 Ben, TO-262
- RS-varenummer:
- 180-8307
- Producentens varenummer:
- IRF830ALPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 619,35
(ekskl. moms)
Kr. 774,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 12,387 | Kr. 619,35 |
| 100 - 200 | Kr. 11,643 | Kr. 582,15 |
| 250 + | Kr. 10,529 | Kr. 526,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8307
- Producentens varenummer:
- IRF830ALPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 74W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Længde | 9.65mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 74W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Længde 9.65mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en N-kanal, TO-263-3 huset er et nyt produkt med en dræn-kilde-spænding på 500 V og maksimal gate-kilde-spænding på 30 V. Den har en dræn-kildemodstand på 1,4 mohm ved en gate-kilde spænding på 10 V. MOSFET'en har en maksimal effekttab på 74 W. Dette produkt er optimeret til lavere skifte- og ledningstab. MOSFET giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Fuldt karakteriseret kapacitet og lavinspænding og strøm
• Halogenfri
• Forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt
• Blyfri (Pb) komponent
• Lav gate-opladning Qg resulterer i et enkelt drevkrav
• Driftstemperaturområder mellem -55 °C og 150 °C
• TrenchFET effekt MOSFET
Anvendelsesområder
• Højhastigheds strømswitching
• Switch-mode strømforsyning (SMPS)
• Uafbrudte strømforsyninger
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 5 A 500 V, 3 Ben
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 3.3 A 500 V
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 11 A 500 V, TO-263
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 10 A 400 V
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 10 A 60 V
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 26 A 500 V JEDEC TO-220AB, E
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 6.8 A 600 V, TO-247AC