Vishay 1 N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 5 A 500 V, 3 Ben, TO-262

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 619,35

(ekskl. moms)

Kr. 774,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 12,387Kr. 619,35
100 - 200Kr. 11,643Kr. 582,15
250 +Kr. 10,529Kr. 526,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:
180-8307
Producentens varenummer:
IRF830ALPBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

TO-262

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4Ω

Portkildespænding maks.

30V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Effektafsættelse maks. Pd

74W

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Enkelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Højde

4.83mm

Bredde

10.67mm

Længde

9.65mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay Power MOSFET, 500 V drain-source spænding, 5 A kontinuerlig drain-strøm - IRF830ALPBF


Denne effekt-MOSFET er en enkelt N-kanal-transistor, der er designet til højspændingskoblings- og strømkonverteringsopgaver i elektroniske systemer. Pakket i et TO-262-format, fungerer den som et kompakt koblingselement til kredsløb, der kræver høj drain-til-source-spændingskapacitet og moderat kontinuerlig strømhåndtering i industrielle og kommercielle sammenhænge.

Egenskaber og fordele:


• 500 V mærkeværdi for drain-til-kilde muliggør højspændingsanvendelser
• 5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabil strømforsyning
• 1.4 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i lavstrømsdesign
• 24 nC total gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange
• ±30 V gate-tolerance giver mulighed for robuste gate-drevmargener
• 74 W effekttabskapacitet hjælper med termisk rumkapacitet ved belastning

Anvendelser


• Velegnet til offline switch-mode strømforsyninger
• Ideel til frontender til højspændingsmotordrev
• Anvendes sammen med impulsomformere, der kræver hurtig omskiftning
• Kan bruges til industriel lampe- og varmeapparatstyring
• Velegnet til strømkonditionering og hjælpeforsyninger

Hvilke termiske ekstremer kan enheden modstå under drift?


Den er specificeret til drift over et område fra -55 °C til 150 °C og kan rumme lavtemperaturstarter og høje samletemperaturer under belastning.

Hvor mange diskrete transistorelementer er til stede på chippen?


Halvlederen indeholder et enkelt element pr. chip, hvilket giver en isoleret koblingskanal til kredsløbsdesign.

Hvilke miljø- og materialestandarder afspejles i produktionen?


Komponenten er i overensstemmelse med RoHS 2002/95/EC og IEC 61249-2-21 materialer og stoffer.

Hvad er den typiske fremadgående spænding i diodeledningshændelser?


Den egens kropdiode udviser en fremadgående spænding på ca. 1,5 V under ledning.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.