Vishay 1 N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 4.1 A 800 V, 3 Ben, TO-262

RS-varenummer:: 180-8316
Producentens varenummer:: IRFBE30LPBF
Brand:: Vishay

Vishay 1 N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 4.1 A 800 V, 3 Ben, TO-262

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 180-8316
Producentens varenummer:: IRFBE30LPBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	4.1A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Emballagetype	TO-262
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	3Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	78nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.8V
	Effektafsættelse maks. Pd	125W
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Standarder/godkendelser	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Antal elementer per chip	1
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.1A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Emballagetype TO-262
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 3Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 78nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.8V
	Effektafsættelse maks. Pd 125W
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Antal elementer per chip 1
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Power MOSFET, 800 V maksimal drain source-spænding, 4,1 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFBE30LPBF

Denne effekt-MOSFET er en N-kanal-transistor, der er designet til højspændingsswitching og effektkonverteringsopgaver i industriel elektronik. Den er indkapslet i et TO-262-hus og fungerer som en 1-element-effekttransistor, der er i stand til at håndtere høje drain-source-spændinger og vedvarende effekttab over et bredt termisk område, hvilket gør den velegnet til krævende driftsforhold, hvor robust spændingsholdbarhed er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 800 V drain-kapacitet, der muliggør højspændingsswitching
• 125 W effekttab giver mulighed for vedvarende termisk belastning
• 4,1 A kontinuerlig afløbsstrøm til anvendelser med moderat belastning
• 3 Ω Rds giver forudsigelige modstandsegenskaber ved tænding
• 78 nC gate-ladning til kontrollerede skifteovergange
• 20 V Vgs maksimal beskyttelse af portintegritet

Anvendelser

• Velegnet til industrielle højspændingsstrømforsyninger
• Ideel til strømkonverteringstrin i switch-mode
• Anvendes sammen med motordrevskredsløb, der kræver høje Vds
• Kan bruges til overbelastningsbeskyttelse og snubberkredsløb
• Nyttig til strømstyring, hvor et forøget temperaturområde er vigtigt

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå under drift?

Den fungerer over et bredt termisk område fra -55 °C op til 150 °C, hvilket gør den velegnet til miljøer med betydelige temperaturvariationer.

Hvordan opretholdes portbeskyttelsen under brug?

Den maksimalt tilladte gate-til-kilde-spænding er 20 V, hvilket definerer tærsklen for sikre gate-drive-amplituder for at undgå skader.

Hvilken pakke skal overvejes for termiske og monteringsbehov?

TO-262-huset giver et robust monteringsformat med tre ben og understøtter varmeafledning, der er kompatibel med enhedens mærkeværdi på 125 W.

Hvor mange aktive elementer er indeholdt på chippen?

Enheden består af et enkelt aktivt element pr. chip, hvilket forenkler kredsløbstopologien til enkelt-transistor-konfigurationer.