Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 4.1 A 800 V, 3 Ben, TO-262
- RS-varenummer:
- 180-8664
- Producentens varenummer:
- IRFBE30LPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 119,38
(ekskl. moms)
Kr. 149,225
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 23,876 | Kr. 119,38 |
| 50 - 120 | Kr. 20,30 | Kr. 101,50 |
| 125 - 245 | Kr. 19,118 | Kr. 95,59 |
| 250 - 495 | Kr. 17,922 | Kr. 89,61 |
| 500 + | Kr. 16,71 | Kr. 83,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8664
- Producentens varenummer:
- IRFBE30LPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 78nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 78nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Power MOSFET, 800 V maksimal drain source-spænding, 4,1 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFBE30LPBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til strømkonverterings- og styringsopgaver i industrielle miljøer. Den fungerer over et bredt termisk område og er velegnet til kredsløb, der kræver robust højspændingshåndtering og moderat kontinuerlig strømkapacitet i en strømforsyning med gennemgående hul.
Egenskaber og fordele:
• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 4,1 A kontinuerlig drænstrøm understøtter vedvarende belastningsstrømme • 3 Ω modstand ved tænding reducerer ledningstab i lavbelastningskredsløb • 125 W effekttab muliggør håndtering af betydelig effekt i begrænsede fodaftryk • 78 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig omskiftningsenergibudgettering • 20 V gate-source-grænse beskytter valg af portdrev og kredsløbsdesign
Anvendelser
• Velegnet til industrielle strømforsyninger og DC-DC-konvertere • Ideel til højspændings motordrevfrontender med moderat strøm • Anvendes til snubber- eller klemmekredsløb i højspændingssystemer • Kan bruges til koblingselementer i svejsning eller plasma-styringselektronik
Hvilket temperaturområde kan den tåle under drift?
Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket muliggør brug under barske termiske forhold.
Hvilken pakke skal overvejes til printkortlayout og montering?
TO-262-pakken kræver montering gennem hul og større kobberområder til varmeafledning.
Hvordan påvirker gate-opladningen valg af driver?
En typisk gate-ladning på 78 nC ved portdrevspændingen bestemmer den påkrævede driverstrøm og koblingstab under overgange.
Er der begrænsninger på gate-spændingsanvendelse?
Den maksimalt tilladte gate-kilde-spænding er 20 V, så gate-drivere og beskyttelsesnetværk skal forhindre overskridelse.
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 4.1 A 800 V, 3 Ben
- Vishay Type N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring IPAK, SiHU4N80AE
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 10 A 400 V
- Vishay Type N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring TO-220, IRFBE
- Vishay 1 Type N-Kanal 1.4 A 800 V, TO-220FP
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 10 A 60 V
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 3.3 A 500 V
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 11 A 500 V, TO-263