Vishay 1 N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 4.1 A 800 V, 3 Ben, TO-262

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 119,38

(ekskl. moms)

Kr. 149,23

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 20 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 23,876Kr. 119,38
50 - 120Kr. 20,30Kr. 101,50
125 - 245Kr. 19,118Kr. 95,59
250 - 495Kr. 17,922Kr. 89,61
500 +Kr. 16,71Kr. 83,55

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-8664
Producentens varenummer:
IRFBE30LPBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.1A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-262

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

78nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Enkelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay Power MOSFET, 800 V maksimal drain source-spænding, 4,1 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFBE30LPBF


Denne effekt-MOSFET er en N-kanal-transistor, der er designet til højspændingsswitching og effektkonverteringsopgaver i industriel elektronik. Den er indkapslet i et TO-262-hus og fungerer som en 1-element-effekttransistor, der er i stand til at håndtere høje drain-source-spændinger og vedvarende effekttab over et bredt termisk område, hvilket gør den velegnet til krævende driftsforhold, hvor robust spændingsholdbarhed er påkrævet.

Egenskaber og fordele:


• 800 V drain-kapacitet, der muliggør højspændingsswitching
• 125 W effekttab giver mulighed for vedvarende termisk belastning
• 4,1 A kontinuerlig afløbsstrøm til anvendelser med moderat belastning
• 3 Ω Rds giver forudsigelige modstandsegenskaber ved tænding
• 78 nC gate-ladning til kontrollerede skifteovergange
• 20 V Vgs maksimal beskyttelse af portintegritet

Anvendelser


• Velegnet til industrielle højspændingsstrømforsyninger
• Ideel til strømkonverteringstrin i switch-mode
• Anvendes sammen med motordrevskredsløb, der kræver høje Vds
• Kan bruges til overbelastningsbeskyttelse og snubberkredsløb
• Nyttig til strømstyring, hvor et forøget temperaturområde er vigtigt

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå under drift?


Den fungerer over et bredt termisk område fra -55 °C op til 150 °C, hvilket gør den velegnet til miljøer med betydelige temperaturvariationer.

Hvordan opretholdes portbeskyttelsen under brug?


Den maksimalt tilladte gate-til-kilde-spænding er 20 V, hvilket definerer tærsklen for sikre gate-drive-amplituder for at undgå skader.

Hvilken pakke skal overvejes for termiske og monteringsbehov?


TO-262-huset giver et robust monteringsformat med tre ben og understøtter varmeafledning, der er kompatibel med enhedens mærkeværdi på 125 W.

Hvor mange aktive elementer er indeholdt på chippen?


Enheden består af et enkelt aktivt element pr. chip, hvilket forenkler kredsløbstopologien til enkelt-transistor-konfigurationer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.