Vishay 1 N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 5 A 500 V, 3 Ben, TO-262
- RS-varenummer:
- 180-8670
- Producentens varenummer:
- IRF830ALPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 107,71
(ekskl. moms)
Kr. 134,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 350 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 21,542 | Kr. 107,71 |
| 50 - 120 | Kr. 19,374 | Kr. 96,87 |
| 125 - 245 | Kr. 18,312 | Kr. 91,56 |
| 250 - 495 | Kr. 17,234 | Kr. 86,17 |
| 500 + | Kr. 16,172 | Kr. 80,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8670
- Producentens varenummer:
- IRF830ALPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 74W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bredde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Længde | 9.65mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 74W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Bredde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Længde 9.65mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Power MOSFET, 500 V drain-source spænding, 5 A kontinuerlig drain-strøm - IRF830ALPBF
Denne effekt-MOSFET er en enkelt N-kanal-transistor, der er designet til højspændingskoblings- og strømkonverteringsopgaver i elektroniske systemer. Pakket i et TO-262-format, fungerer den som et kompakt koblingselement til kredsløb, der kræver høj drain-til-source-spændingskapacitet og moderat kontinuerlig strømhåndtering i industrielle og kommercielle sammenhænge.
Egenskaber og fordele:
• 500 V mærkeværdi for drain-til-kilde muliggør højspændingsanvendelser
• 5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabil strømforsyning
• 1.4 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i lavstrømsdesign
• 24 nC total gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange
• ±30 V gate-tolerance giver mulighed for robuste gate-drevmargener
• 74 W effekttabskapacitet hjælper med termisk rumkapacitet ved belastning
• 5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabil strømforsyning
• 1.4 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i lavstrømsdesign
• 24 nC total gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange
• ±30 V gate-tolerance giver mulighed for robuste gate-drevmargener
• 74 W effekttabskapacitet hjælper med termisk rumkapacitet ved belastning
Anvendelser
• Velegnet til offline switch-mode strømforsyninger
• Ideel til frontender til højspændingsmotordrev
• Anvendes sammen med impulsomformere, der kræver hurtig omskiftning
• Kan bruges til industriel lampe- og varmeapparatstyring
• Velegnet til strømkonditionering og hjælpeforsyninger
• Ideel til frontender til højspændingsmotordrev
• Anvendes sammen med impulsomformere, der kræver hurtig omskiftning
• Kan bruges til industriel lampe- og varmeapparatstyring
• Velegnet til strømkonditionering og hjælpeforsyninger
Hvilke termiske ekstremer kan enheden modstå under drift?
Den er specificeret til drift over et område fra -55 °C til 150 °C og kan rumme lavtemperaturstarter og høje samletemperaturer under belastning.
Hvor mange diskrete transistorelementer er til stede på chippen?
Halvlederen indeholder et enkelt element pr. chip, hvilket giver en isoleret koblingskanal til kredsløbsdesign.
Hvilke miljø- og materialestandarder afspejles i produktionen?
Komponenten er i overensstemmelse med RoHS 2002/95/EC og IEC 61249-2-21 materialer og stoffer.
Hvad er den typiske fremadgående spænding i diodeledningshændelser?
Den egens kropdiode udviser en fremadgående spænding på ca. 1,5 V under ledning.