Vishay N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 10 A 400 V, 3 Ben, TO-263

RS-varenummer:: 180-8642
Producentens varenummer:: IRF740ALPBF
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 10 A 400 V, 3 Ben, TO-263

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 81,86

(ekskl. moms)

Kr. 102,33

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

170 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 16,372	Kr. 81,86

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-8642
Producentens varenummer:: IRF740ALPBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	10A
	Drain source spænding maks. Vds	400V
	Emballagetype	TO-263
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.55Ω
	Portkildespænding maks.	30V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	125W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	36nC
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	4.83mm
	Bredde	10.67mm
	Standarder/godkendelser	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Længde	9.65mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A
	Drain source spænding maks. Vds 400V
	Emballagetype TO-263
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.55Ω
	Portkildespænding maks. 30V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 125W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 4.83mm
	Bredde 10.67mm
	Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Længde 9.65mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Power MOSFET, 400 V maksimal drain source-spænding, 10 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRF740ALPBF

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til skifte- og strømkonverteringsroller i industriel elektronik. Den fungerer i krævende termiske miljøer og er velegnet til design, der kræver en enhed med tre terminaler med robust spændingshåndtering og moderat strømkapacitet.

Egenskaber og fordele:

• 400 V mærkeværdi for afløb til højspændingskoblingsanvendelser
• 10 A kontinuerlig afløbsstrøm til understøttelse af vedvarende belastninger
• 0.55 Ω Rds(on) for kontrollerede ledningstab
• 125 W effekttab, der muliggør betydelig termisk gennemgang
• 36 nC typisk gate-ladning, der reducerer kravet til drivenergi
• 30 V maksimal gate-source-spænding for standard gate-drive-kompatibilitet

Anvendelser

• Velegnet til offline SMPS primære koblingstrin
• Ideel til effektfaktorkorrektionskredsløb i forsyninger
• Anvendes sammen med motorstyrte frontender til drev med lav hastighed
• Kan bruges til omskiftning af ballast til industriel belysning
• Nyttigt i højspændingstest- og måleudstyr

Hvilket temperaturområde kan den modstå under drift?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug på tværs af brede omgivelses- og forhøjede forbindelsesforhold.

Hvilken emballageformfaktor bruger den til printkortmontering?

Den leveres i en TO-263-pakke, der giver en flad strømflig og tre terminaler til overflademontering.

Er der miljø- eller materialestandarder forbundet med det?

Enheden er i overensstemmelse med RoHS 2002/95/EC og følger IEC 61249-2-21 materialespecifikationer.

Hvilke hensyn opstår der til gate-drevet i forbindelse med gate-opladning?

Med en typisk Qg på 36 nC ved Vgs skal gate-drivere forsyne tilstrækkelig transientstrøm for at opnå den krævede skiftehastighed uden overdreven forsinkelse.