onsemi N-Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SuperFET III MOSFET Easy-drive AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 186-1537
- Producentens varenummer:
- NVHL072N65S3
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 86,17
(ekskl. moms)
Kr. 107,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 43,085 | Kr. 86,17 |
| 20 - 198 | Kr. 37,175 | Kr. 74,35 |
| 200 + | Kr. 32,24 | Kr. 64,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-1537
- Producentens varenummer:
- NVHL072N65S3
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 44A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SuperFET III MOSFET Easy-drive | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 107mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 312W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 82nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Højde | 20.82mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.87mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 44A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SuperFET III MOSFET Easy-drive | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 107mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 312W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 82nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.82mm | ||
Højde 20.82mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.87mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed medvirker SUPERFET III MOSFET Easy drive til at håndtere EMI-problemer og giver mulighed for nemmere designimplementering.
700 V VED TJ = 150 °C.
Meget lav portopladning (typ. Qg = 78 nC)
Lavt effektivt udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 715 pF)
PPAP-kapacitet
Typ. RDS(on) = 63 mΩ
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Lavere skiftetab
PPAP-kapacitet
Anvendelsesområder
HV DC/DC-KONVERTER
Slutprodukter
Indbygget Oplader
DC/DC konverter