onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 62 A 650 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, SUPERFET III Nej NTH4LN040N65S3H

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 80,86

(ekskl. moms)

Kr. 101,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 430 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 80,86
10 - 99Kr. 69,71
100 +Kr. 60,44

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
230-9085
Producentens varenummer:
NTH4LN040N65S3H
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

62A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-247

Serie

SUPERFET III

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

379W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

132nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

2.4 mm

Længde

10.2mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

13.28mm

Bilindustristandarder

Nej

ON Semiconductor-serien SUPERFET III MOSFET er en ny SJ-serie (high-voltage super-junction), der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-opladning. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Derfor hjælper SUPERFET III MOSFET FAST-serien med at minimere forskellige kraftsystemer og forbedre systemets effektivitet.

100 % Avalanche testet

I overensstemmelse med RoHS

Typ. RDS(til) = 32 mΩ

Intern Gate-modstand: 0.7 Ω

Ultralav gate-opladning (typ. QG = 132 bryde)

700 V ved Tj = 150 °C

Relaterede links