onsemi N-Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- RS-varenummer:
- 189-0256
- Producentens varenummer:
- NTHL190N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (30 enheder, i en tube med 30)*
Kr. 1.129,62
(ekskl. moms)
Kr. 1.412,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | Kr. 37,654 | Kr. 1.129,62 |
| 120 - 240 | Kr. 36,679 | Kr. 1.100,37 |
| 270 - 480 | Kr. 35,734 | Kr. 1.072,02 |
| 510 + | Kr. 34,832 | Kr. 1.044,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 189-0256
- Producentens varenummer:
- NTHL190N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 162W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.87mm | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Højde | 20.82mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie NTHL | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 162W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.87mm | ||
Bredde 4.82mm | ||
Højde 20.82mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
SUPERFET III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændingssuper-junction (SJ) MOSFET-serie, der anvender opladningsbalanceteknologi for at opnå enestående lav on-modstandskraft og lavere gate-opladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. SUPERFET III MOSFET er derfor meget velegnet til de forskellige effektsystemer til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET's optimerede reverse recovery-ydelse på kropsdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
700 V ved TJ = 150 °C
Meget lav portopladning (typ. Qg = 35 nC)
Lav effektiv udgangskondentans (Typ. USS(eff.) = 467 pF)
Fremragende ydeevne for husdiode (lav Qrr, robust husdiode)
Optimeret kapacitet
Typ. RDS(on) = 161 mΩ
Fordele
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Lavere skiftetab
Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Anvendelsesområder
Telekommunikation
Cloud-system
Industriel
Slutprodukter
Telekommunikations-strøm
Serverstrøm
Elbil-lader
Solcelle/UPS (nødstrømsforsyning)
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi N-Kanal 65 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi N-Kanal 75 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi N-Kanal 70 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL