onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 116 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, FDMS Nej FDMS4D5N08LC

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 100,83

(ekskl. moms)

Kr. 126,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 10,083Kr. 100,83
100 - 240Kr. 8,692Kr. 86,92
250 +Kr. 7,727Kr. 77,27

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
195-2499
Producentens varenummer:
FDMS4D5N08LC
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

116A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PQFN

Serie

FDMS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Effektafsættelse maks. Pd

113.6W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5 mm

Højde

1.05mm

Længde

5.85mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Denne N-kanal MV MOSFET er produceret med ON Semiconductor's advancerede PowerTrench® proces, der omfatter skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode

Skærmet Gate MOSFET-teknologi

Maks. rDS(on) = 4,0 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 37 A

Maks. rDS(on) = 11,1 mΩ ved VGS = 4,5 V, ID = 29 A

50 % lavere Qrr end andre MOSFET-leverandører

Sænker switching-støj/EMI

Logisk Niveaustyring

Anvendelse

Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.

Relaterede links