onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Forbedring, 8 Ben, LFPAK, NVMJS1D5N04CL AEC-Q101 NVMJS1D5N04CLTWG

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 79,64

(ekskl. moms)

Kr. 99,56

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.960 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 3,982Kr. 79,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
195-2509
Producentens varenummer:
NVMJS1D5N04CLTWG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

NVMJS1D5N04CL

Emballagetype

LFPAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

70nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.9 mm

Højde

1.15mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Bilstrøm MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. MOSFET- og PPAP-kapacitet er velegnet til brug i biler.

Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design

Lav RDS(on) for at minimere ledningstab

Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab

Lfpak8 Hus, Industristandard

PPAP-kapacitet

Disse enheder er blyfrie

Relaterede links