onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 25 A 80 V Forbedring, 8 Ben, DFN AEC-Q101 NVMFD6H852NLWFT1G

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 30 enheder)*

Kr. 175,14

(ekskl. moms)

Kr. 218,94

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
30 +Kr. 5,838Kr. 175,14

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
195-2556
Producentens varenummer:
NVMFD6H852NLWFT1G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

31.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

175°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Effektafsættelse maks. Pd

3.2W

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Bredde

5.1 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.05mm

Længde

6.1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design

Lav RDS(on) for at minimere ledningstab

Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab

NVMFD6H852NLWF - vanddispergerbar flanke fås som ekstraudstyr for forbedret optisk inspektion

PPAP-kapacitet

Disse enheder er blyfrie

Relaterede links