onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 470 A 60 V Forbedring, 8 Ben, H-PSOF, NTBLS0D7N06C Nej
- RS-varenummer:
- 201-3406
- Producentens varenummer:
- NTBLS0D7N06C
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 316,70
(ekskl. moms)
Kr. 395,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.665 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 63,34 | Kr. 316,70 |
| 50 - 95 | Kr. 54,59 | Kr. 272,95 |
| 100 + | Kr. 47,334 | Kr. 236,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 201-3406
- Producentens varenummer:
- NTBLS0D7N06C
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 470A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | H-PSOF | |
| Serie | NTBLS0D7N06C | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 170nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 314W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 9.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 11.78mm | |
| Bredde | 2.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 470A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype H-PSOF | ||
Serie NTBLS0D7N06C | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 170nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 314W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 9.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 11.78mm | ||
Bredde 2.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor 60 V N kanal MOSFET har lavt minimeret ledningstab 0,75 m og har også lavere skiftestøj/EMI. I disse enheder er blyfri, halogenfri/BFR-fri og i overensstemmelse med RoHS.
Lav QG og kapacitans for at minimere tab af driver