Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHB105N60EF Nej SIHB105N60EF-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 90,58

(ekskl. moms)

Kr. 113,225

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 18,116Kr. 90,58
25 - 45Kr. 14,66Kr. 73,30
50 - 120Kr. 14,272Kr. 71,36
125 - 245Kr. 13,928Kr. 69,64
250 +Kr. 13,568Kr. 67,84

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7205
Producentens varenummer:
SIHB105N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

SiHB105N60EF

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

102mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.83 mm

Længde

10.67mm

Højde

15.88mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay EF seriens Power MOSFET med fast Body diode har 4. Generation E-serie teknologi. Den har reduceret skift- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er)

Relaterede links