Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHB105N60EF
- RS-varenummer:
- 204-7205
- Producentens varenummer:
- SIHB105N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 161,12
(ekskl. moms)
Kr. 201,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 32,224 | Kr. 161,12 |
| 25 - 45 | Kr. 26,09 | Kr. 130,45 |
| 50 - 120 | Kr. 25,388 | Kr. 126,94 |
| 125 - 245 | Kr. 24,774 | Kr. 123,87 |
| 250 + | Kr. 24,146 | Kr. 120,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7205
- Producentens varenummer:
- SIHB105N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | SiHB105N60EF | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 102mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 15.88mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie SiHB105N60EF | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 102mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 15.88mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay EF seriens Power MOSFET med fast Body diode har 4. Generation E-serie teknologi. Den har reduceret skift- og ledningstab.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB105N60EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-220, SiHA105N60EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, SiHG105N60EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 34 A 600 V Forbedring TO-263, SIHB
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB22N60EF