DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 800 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563, DMC2710 AEC-Q101, AEC-Q100,
- RS-varenummer:
- 206-0057
- Producentens varenummer:
- DMC2710UV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 77,55
(ekskl. moms)
Kr. 96,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.200 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 1,551 | Kr. 77,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0057
- Producentens varenummer:
- DMC2710UV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 800mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Serie | DMC2710 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 6 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 1.55mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 1.1 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 800mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Serie DMC2710 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 6 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 1.55mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 1.1 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex komplementær par-forstærkningstilstanden MOSFET er designet til at minimere den modstand, der er i tilstanden, men alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 6 V med 0,46 W termisk effekttab.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben DMC2710 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 1.03 A 20 V Forbedring SOT-563, DMG1023 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt -4.5 A 20 V Forbedring DFN AEC-Q100 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal Dobbelt 3.1 A 20 V Forbedring UDFN-2020 AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 3.2 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 3.8 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101 AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 800 mA 30 V Forbedring US AEC-Q200, AEC-Q101
