DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 800 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563, DMC2710 AEC-Q101, AEC-Q100,
- RS-varenummer:
- 206-0057
- Producentens varenummer:
- DMC2710UV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 77,55
(ekskl. moms)
Kr. 96,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.200 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 1,551 | Kr. 77,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0057
- Producentens varenummer:
- DMC2710UV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 800mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMC2710 | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Portkildespænding maks. | 6 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.1 mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 1.55mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 800mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMC2710 | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Portkildespænding maks. 6 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.1 mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 1.55mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex komplementær par-forstærkningstilstanden MOSFET er designet til at minimere den modstand, der er i tilstanden, men alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 6 V med 0,46 W termisk effekttab.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 1 800 mA 20 V SOT-563, DMC2710 DMC2710UV-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 1 800 mA 100 V SOT-223 ZXMHC10A07T8TA
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 280 mA 6 ben, SOT-563 DMG1029SV-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 1 A 6 ben, SOT-563 DMC2400UV-7
- DiodesZetex N-Kanal 350 mA 50 V SOT-563 DMN53D0LV-7
- DiodesZetex N-Kanal 260 mA 30 V SOT-563 DMN63D8LV-7
- DiodesZetex N-Kanal 280 mA 60 V SOT-563 2N7002VC-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 550 mA 6 ben DMC3401 DMC3401LDW-7
