STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 34 A 600 V, 8 ben, TIL-LL-HV, STO67N60M6 STO67N60M6
- RS-varenummer:
- 206-8633
- Producentens varenummer:
- STO67N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 206-8633
- Producentens varenummer:
- STO67N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 34 A | |
| Drain source spænding maks. | 600 V | |
| Serie | STO67N60M6 | |
| Kapslingstype | TIL-LL-HV | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. | 54 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.75V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 34 A | ||
Drain source spænding maks. 600 V | ||
Serie STO67N60M6 | ||
Kapslingstype TIL-LL-HV | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. 54 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4.75V | ||
Transistormateriale Si | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
STMicroelectronics MDmesh M6-teknologi inkorporerer de seneste fremskridt i den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi, som kombinerer fremragende RDS(on) pr. områdeforbedring med en af de mest effektive skifteegenskaber, der er tilgængelige, samt en brugervenlig oplevelse, der giver maksimal effektivitet i slutanvendelsen.
Reduceret skiftetab
Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation
Lav indgangsmodstand for gate
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Hus med høj krybeafstand
Fremragende skifteevne takket være det ekstra drivkildestift
Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation
Lav indgangsmodstand for gate
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Hus med høj krybeafstand
Fremragende skifteevne takket være det ekstra drivkildestift
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 34 A 600 V TIL-LL-HV, STO67N60M6
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 55 A 600 V TO-LL, STO60
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 79 A 600 V TO-LL, STO60
- STMicroelectronics Type N-Kanal 46 A 600 V Forbedring TO-LL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 36 A 600 V Forbedring TO-LL, STP50N60DM6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V PowerFlat HV, M6
- STMicroelectronics N-Kanal 18 A 600 V PowerFLAT 8 x 8 HV, STL24N60M2 STL24N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 600 V PowerFLAT 8 x 8 HV, M6 STL24N60M6
