STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej STD15N60DM6
- RS-varenummer:
- 210-8742
- Producentens varenummer:
- STD15N60DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 78,99
(ekskl. moms)
Kr. 98,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,798 | Kr. 78,99 |
| 50 - 95 | Kr. 13,494 | Kr. 67,47 |
| 100 - 245 | Kr. 10,562 | Kr. 52,81 |
| 250 - 995 | Kr. 10,352 | Kr. 51,76 |
| 1000 + | Kr. 7,704 | Kr. 38,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-8742
- Producentens varenummer:
- STD15N60DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 338mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 338mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.4mm | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af Mesh DM6-serien med hurtig genoprettelse. Sammenlignet med den tidligere Mesh fast generation, kombinerer DM6 meget lav gendannelsesladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive skifteegenskaber på markedet for de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS-faseskiftkonvertere.
Diode til hurtigt genvindingshus
Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation
Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand
100 % avalanche-testet
Ekstremt høj dv/dt robusthed
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V DPAK (TO-252) STD15N60DM6
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V DPAK (TO-252), M6 STD16N60M6
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V DPAK (TO-252) STD12N60DM6
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 600 V DPAK (TO-252) STD9N60M6
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V DPAK (TO-252), MDmesh M2 STD16N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 3 3 ben STD5N STD5N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 600 V DPAK (TO-252), MDmesh STB7ANM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 600 V DPAK (TO-252), MDmesh STD7NM60N