STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 19.097,50

(ekskl. moms)

Kr. 23.872,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 7,639Kr. 19.097,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
210-8741
Producentens varenummer:
STD15N60DM6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

338mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15.3nC

Portkildespænding maks.

25 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.2 mm

Længde

6.6mm

Højde

2.4mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af Mesh DM6-serien med hurtig genoprettelse. Sammenlignet med den tidligere Mesh fast generation, kombinerer DM6 meget lav gendannelsesladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive skifteegenskaber på markedet for de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS-faseskiftkonvertere.

Diode til hurtigt genvindingshus

Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation

Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand

100 % avalanche-testet

Ekstremt høj dv/dt robusthed

Zener-beskyttet

Relaterede links