STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 12.642,50

(ekskl. moms)

Kr. 15.802,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 5,057Kr. 12.642,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
225-0671
Producentens varenummer:
STD9N60M6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

750mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Effektafsættelse maks. Pd

76W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Den nye MDmesh M6-teknologi fra STMicroelectronics indeholder de seneste fremskridt til den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi, som kombinerer fremragende RDS(on) pr. område-forbedring med en af de mest effektive koblingsfunktioner, der findes, samt en brugervenlig oplevelse, der giver maksimal effektivitet i slutanvendelsen.

Reduceret tab ved skift

Lavere RDS (til) pr. område vs. forrige generation

Lav indgangsmodstand for låge

100 % avalanche-testet

Zener-beskyttet

584

Relaterede links