STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej
- RS-varenummer:
- 225-0671
- Producentens varenummer:
- STD9N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 12.642,50
(ekskl. moms)
Kr. 15.802,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 5,057 | Kr. 12.642,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0671
- Producentens varenummer:
- STD9N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 76W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 76W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Den nye MDmesh M6-teknologi fra STMicroelectronics indeholder de seneste fremskridt til den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi, som kombinerer fremragende RDS(on) pr. område-forbedring med en af de mest effektive koblingsfunktioner, der findes, samt en brugervenlig oplevelse, der giver maksimal effektivitet i slutanvendelsen.
Reduceret tab ved skift
Lavere RDS (til) pr. område vs. forrige generation
Lav indgangsmodstand for låge
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
584
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 600 V DPAK (TO-252) STD9N60M6
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V DPAK (TO-252) STD12N60DM6
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V DPAK (TO-252) STD15N60DM6
- STMicroelectronics N-Kanal 3 3 ben STD5N STD5N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 600 V DPAK (TO-252), MDmesh STB7ANM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 600 V DPAK (TO-252), MDmesh STD7NM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 600 V DPAK (TO-252), STD11N60M6 STD11N60M6
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V DPAK (TO-252), FDmesh STD13NM60ND
