STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej STD9N60M6

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 59,62

(ekskl. moms)

Kr. 74,52

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.490 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 10Kr. 5,962Kr. 59,62
20 - 90Kr. 5,797Kr. 57,97
100 - 240Kr. 5,647Kr. 56,47
250 - 490Kr. 5,505Kr. 55,05
500 +Kr. 5,371Kr. 53,71

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
225-0672
Producentens varenummer:
STD9N60M6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

750mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

25 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Effektafsættelse maks. Pd

76W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Den nye MDmesh M6-teknologi fra STMicroelectronics indeholder de seneste fremskridt til den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi, som kombinerer fremragende RDS(on) pr. område-forbedring med en af de mest effektive koblingsfunktioner, der findes, samt en brugervenlig oplevelse, der giver maksimal effektivitet i slutanvendelsen.

Reduceret tab ved skift

Lavere RDS (til) pr. område vs. forrige generation

Lav indgangsmodstand for låge

100 % avalanche-testet

Zener-beskyttet

584

Relaterede links