STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 225-0672
- Producentens varenummer:
- STD9N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 53,26
(ekskl. moms)
Kr. 66,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.490 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 5,326 | Kr. 53,26 |
| 20 - 90 | Kr. 5,251 | Kr. 52,51 |
| 100 - 240 | Kr. 5,191 | Kr. 51,91 |
| 250 - 490 | Kr. 5,124 | Kr. 51,24 |
| 500 + | Kr. 5,064 | Kr. 50,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0672
- Producentens varenummer:
- STD9N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 76W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 76W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Den nye MDmesh M6-teknologi fra STMicroelectronics indeholder de seneste fremskridt til den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi, som kombinerer fremragende RDS(on) pr. område-forbedring med en af de mest effektive koblingsfunktioner, der findes, samt en brugervenlig oplevelse, der giver maksimal effektivitet i slutanvendelsen.
Reduceret tab ved skift
Lavere RDS (til) pr. område vs. forrige generation
Lav indgangsmodstand for låge
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
584
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring TO-252, STD11N60M6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring TO-252, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3.5 A 600 V Forbedring TO-252, STD5N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH