STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STD11N60M6

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 134,16

(ekskl. moms)

Kr. 167,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 950 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 13,416Kr. 134,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
212-2105
Producentens varenummer:
STD11N60M6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Serie

STD11N60M6

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

500mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

90W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10.3nC

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.6mm

Bredde

6.2 mm

Højde

2.4mm

Bilindustristandarder

Nej

MDMDMESH M6 MOSFET N-CH


STMicroelectronics MDmesh M6-teknologi inkorporerer de seneste fremskridt i den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. Den bygger videre på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi, som kombinerer fremragende RDS(on) pr. områdeforbedring med en af de mest effektive skifteegenskaber, der findes, samt en brugervenlig oplevelse, der giver maksimal effektivitet i slutanvendelsen.

Reduceret skiftetab

Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation

Lav indgangsmodstand for gate

100 % avalanche-testet

Zener-beskyttet

Relaterede links