STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STD5N Nej STD5N60DM2
- RS-varenummer:
- 193-5390
- Producentens varenummer:
- STD5N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 95,60
(ekskl. moms)
Kr. 119,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 3,824 | Kr. 95,60 |
| 125 - 225 | Kr. 3,632 | Kr. 90,80 |
| 250 - 600 | Kr. 3,27 | Kr. 81,75 |
| 625 + | Kr. 3,249 | Kr. 81,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 193-5390
- Producentens varenummer:
- STD5N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | STD5N | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.55Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Højde | 2.2mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie STD5N | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.55Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Højde 2.2mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM2 serien af hurtige gendannelsesdioder. Den tilbyder meget lav genindvindingsladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende højeffektive konvertere og ideel til bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.
Diode til hurtigt genvindingshus
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Lav modstand ved tændt
Ekstrem høj dv/dt-kapacitet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3.5 A 600 V Forbedring TO-252, STD5N Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-252 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 600 V Forbedring TO-252 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring TO-252, STD11N60M6 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 600 V Forbedring TO-252 Nej STD1NK60T4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252 Nej STD13N60DM2