STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STD5N
- RS-varenummer:
- 193-5390
- Producentens varenummer:
- STD5N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme 8%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 152,60
(ekskl. moms)
Kr. 190,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 6,104 | Kr. 152,60 | - |
| 250 - 600 | Kr. 5,562 | Kr. 139,05 | 8% |
| 625 + | Kr. 4,632 | Kr. 115,80 | 24% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 193-5390
- Producentens varenummer:
- STD5N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | STD5N | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.55Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.3nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.2mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie STD5N | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.55Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.3nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.2mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM2 serien af hurtige gendannelsesdioder. Den tilbyder meget lav genindvindingsladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende højeffektive konvertere og ideel til bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.
Diode til hurtigt genvindingshus
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Lav modstand ved tændt
Ekstrem høj dv/dt-kapacitet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 3.5 A 600 V Forbedring TO-252, STD5N
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 600 V Forbedring TO-252, STD11N60M6
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 2 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH