STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STD5N Nej STD5N60DM2

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 95,60

(ekskl. moms)

Kr. 119,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 3,824Kr. 95,60
125 - 225Kr. 3,632Kr. 90,80
250 - 600Kr. 3,27Kr. 81,75
625 +Kr. 3,249Kr. 81,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
193-5390
Producentens varenummer:
STD5N60DM2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.5A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Serie

STD5N

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.55Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.3nC

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

45W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.6mm

Højde

2.2mm

Bredde

6.2 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Denne højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM2 serien af hurtige gendannelsesdioder. Den tilbyder meget lav genindvindingsladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende højeffektive konvertere og ideel til bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.

Diode til hurtigt genvindingshus

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Lav modstand ved tændt

Ekstrem høj dv/dt-kapacitet

Zener-beskyttet

Relaterede links