Texas Instruments N-Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Forbedring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- RS-varenummer:
- 208-8480
- Producentens varenummer:
- CSD17575Q3
- Brand:
- Texas Instruments
Tilføj 50 flere for at gemme Kr. 8,35
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 80,90
(ekskl. moms)
Kr. 101,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Plus 17.160 enhed(er) afsendes fra 10. november 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,09 | Kr. 80,90 | - |
| 50 - 90 | Kr. 7,923 | Kr. 79,23 | Kr. 8,35 |
| 100 - 240 | Kr. 6,061 | Kr. 60,61 | Kr. 202,90 |
| 250 - 990 | Kr. 5,996 | Kr. 59,96 | Kr. 523,50 |
| 1000 + | Kr. 5,38 | Kr. 53,80 | Kr. 2.710,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 208-8480
- Producentens varenummer:
- CSD17575Q3
- Brand:
- Texas Instruments
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | VSONP | |
| Serie | NexFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 108W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype VSONP | ||
Serie NexFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 108W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.4mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Relaterede links
- Texas Instruments N-Kanal 3 A 30 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments N-Kanal 100 A 100 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments N-Kanal 50 A 100 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments N-Kanal 12 A 60 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments N-Kanal 100 A 16 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments 1 N-Kanal Enkelt 100 A 60 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments Type P-Kanal 76 A 20 V Forbedring VSONP, NexFET
- Texas Instruments N-Kanal 14 A 100 V Forbedring VSONP
