Texas Instruments Type P-Kanal, MOSFET, 76 A 20 V Forbedring, 8 Ben, VSONP, NexFET Nej CSD25402Q3A
- RS-varenummer:
- 208-8492
- Producentens varenummer:
- CSD25402Q3A
- Brand:
- Texas Instruments
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 133,15
(ekskl. moms)
Kr. 166,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.825 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 5,326 | Kr. 133,15 |
| 125 - 225 | Kr. 5,05 | Kr. 126,25 |
| 250 - 600 | Kr. 4,557 | Kr. 113,93 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,093 | Kr. 102,33 |
| 1250 + | Kr. 3,892 | Kr. 97,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 208-8492
- Producentens varenummer:
- CSD25402Q3A
- Brand:
- Texas Instruments
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | NexFET | |
| Emballagetype | VSONP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.25mm | |
| Bredde | 3.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie NexFET | ||
Emballagetype VSONP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.5nC | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.25mm | ||
Bredde 3.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
-
-
Relaterede links
- Texas Instruments Type P-Kanal 76 A 20 V Forbedring VSONP, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 100 A 16 V Forbedring VSONP, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 3 A 30 V Forbedring VSONP, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring VSONP, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring VSONP, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 50 A 100 V Forbedring VSONP, NexFET Nej
- Texas Instruments Type N-Kanal 100 A 100 V Forbedring VSONP, NexFET Nej CSD19531Q5A
- Texas Instruments Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring VSONP, NexFET Nej CSD18543Q3A
