Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 162 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS52DN Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 7.068,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.835,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 12.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,356Kr. 7.068,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
210-5015
Producentens varenummer:
SiSS52DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

162A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

SiSS52DN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.95mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

43.2nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Portkildespænding maks.

16 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.83mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.4 mm

Længde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 30 V (D-S) MOSFET har PowerPAK 1212-8S hustype.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM)

Muliggør højere effekttæthed med meget lav RDS(on) og termisk forbedret kompakt hus

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links