Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5 Nej BSZ110N08NS5ATMA1
- RS-varenummer:
- 214-4345
- Producentens varenummer:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 132,22
(ekskl. moms)
Kr. 165,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 13.700 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 6,611 | Kr. 132,22 |
| 100 - 180 | Kr. 6,283 | Kr. 125,66 |
| 200 - 480 | Kr. 6,014 | Kr. 120,28 |
| 500 - 980 | Kr. 5,752 | Kr. 115,04 |
| 1000 + | Kr. 5,356 | Kr. 107,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4345
- Producentens varenummer:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
600V Cool MOS P7 super-junction MOSFET fortsætter med at afbalancere behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenlighed i designprocessen. Den bedste i sin klasse RonxA og den naturlige lave gate Charge (QG) på Cool MOS™ 7. Generation platformen sikrer sin høje effektivitet.
Den har en robust husdiode
Integreret RG reducerer MOSFET-vibrationsfølsomheden
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 40 A 80 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ 5 BSZ110N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 80 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ 5 BSZ070N08LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 64 A 80 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ 5 ISZ0602NLSATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ BSZ034N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 100 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ BSZ146N10LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 105 A 40 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ BSZ040N04LSGATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ 5 IPZ40N04S55R4ATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 100 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ 3 BSZ150N10LS3GATMA1
