Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 40 V N, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 214-4350
- Producentens varenummer:
- IPA041N04NGXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 100,605
(ekskl. moms)
Kr. 125,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 6,707 | Kr. 100,61 |
| 75 - 135 | Kr. 6,373 | Kr. 95,60 |
| 150 - 360 | Kr. 6,104 | Kr. 91,56 |
| 375 - 735 | Kr. 5,835 | Kr. 87,53 |
| 750 + | Kr. 5,435 | Kr. 81,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4350
- Producentens varenummer:
- IPA041N04NGXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 35W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.85mm | |
| Længde | 10.68mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.1mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 35W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.85mm | ||
Længde 10.68mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS 3 MOSFET har ikke kun branchens laveste R DS (ON), men også en perfekt kontaktfunktion til hurtige switching-anvendelser. 15 % lavere R DS (on) og 31 % lavere antal fortjeneste (R DS (on) x Q g) sammenlignet med alternative enheder er blevet realiseret ved Advanced thin wafer-teknologi.
Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 70 A 40 V N TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 70 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon 1 Type N-Kanal Enkelt 70 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS™ 3
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V N PG-TO-220, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 64 A 250 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3