Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.9 A 800 V P, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE Nej
- RS-varenummer:
- 214-4353
- Producentens varenummer:
- IPA80R1K4CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 329,85
(ekskl. moms)
Kr. 412,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,597 | Kr. 329,85 |
| 100 - 200 | Kr. 5,278 | Kr. 263,90 |
| 250 - 450 | Kr. 5,015 | Kr. 250,75 |
| 500 - 950 | Kr. 4,75 | Kr. 237,50 |
| 1000 + | Kr. 4,552 | Kr. 227,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4353
- Producentens varenummer:
- IPA80R1K4CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | P | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 31W | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.68mm | |
| Højde | 4.85mm | |
| Bredde | 16.15 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform P | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 31W | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.68mm | ||
Højde 4.85mm | ||
Bredde 16.15 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon CoolMOSE CE MOSFET bruger revolutionerende teknologi til højspændings MOSFET'er. Højspændingsfunktionen kombinerer sikkerhed med ydeevne og robusthed for at give stabile designs på højeste effektivitetsniveau.
Den er i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 3 3 ben CoolMOS™ CE IPA80R1K4CEXKSA2
- Infineon N-Kanal 3 3 ben CoolMOS™ CE IPD80R1K4CEATMA1
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ CE IPAW70R950CEXKSA1
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ CE IPA50R800CEXKSA2
- Infineon N-Kanal 6 3 ben CoolMOS™ CE IPA50R950CEXKSA2
- Infineon N-Kanal 5 3 ben CoolMOS™ CE IPA50R500CEXKSA2
- Infineon N-Kanal 37 A 500 V TO-220 FP, CoolMOS™ CE IPA60R080P7XKSA1
- Infineon N-Kanal 5 A 600 V TO-220 FP, CoolMOS™ CE IPA60R1K5CEXKSA1
