Infineon N-Kanal, MOSFET, 10 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 214-4359
- Producentens varenummer:
- IPAN70R450P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (15 enheder, i en pakke med 15)*
Kr. 95,97
(ekskl. moms)
Kr. 119,97
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 255 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 6,398 | Kr. 95,97 |
| 75 - 135 | Kr. 6,079 | Kr. 91,19 |
| 150 - 360 | Kr. 5,825 | Kr. 87,38 |
| 375 - 735 | Kr. 5,565 | Kr. 83,48 |
| 750 + | Kr. 5,181 | Kr. 77,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4359
- Producentens varenummer:
- IPAN70R450P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 450mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 22.7W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.68mm | |
| Bredde | 16.15mm | |
| Højde | 4.85mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 450mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 22.7W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13.1nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.68mm | ||
Bredde 16.15mm | ||
Højde 4.85mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
700V Cool MOS P7 super-junction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, som f.eks. opladere til mobiltelefoner eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer.
Den understøtter mindre magnetisk størrelse med lavere BOM-omkostninger
Den har høj ESD-robusthed
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 10 A 700 V N TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 8.5 A 700 V N TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 10 A 700 V P TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7