Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 11.465,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.330,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 7.500 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 4,586Kr. 11.465,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4373
Producentens varenummer:
IPD30N06S2L13ATMA4
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

13mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

54nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

136W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.42 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.35mm

Længde

6.65mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne Infineon OptiMOS MOSFET giver høj strømkapacitet og laveste skift- og ledningstab for den højeste termiske effektivitet. Det er 100% lavine testet.

Det er blyfrit

Relaterede links