Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 11.465,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.330,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 7.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 4,586Kr. 11.465,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4373
Producentens varenummer:
IPD30N06S2L13ATMA4
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

13mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

54nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

136W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.42 mm

Længde

6.65mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne Infineon OptiMOS MOSFET giver høj strømkapacitet og laveste skift- og ledningstab for den højeste termiske effektivitet. Det er 100% lavine testet.

Det er blyfrit

Relaterede links