Infineon N-Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 214-4409
- Producentens varenummer:
- IPP076N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 80,86
(ekskl. moms)
Kr. 101,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 16,172 | Kr. 80,86 |
| 25 - 45 | Kr. 14,392 | Kr. 71,96 |
| 50 - 120 | Kr. 13,434 | Kr. 67,17 |
| 125 - 245 | Kr. 12,626 | Kr. 63,13 |
| 250 + | Kr. 11,654 | Kr. 58,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4409
- Producentens varenummer:
- IPP076N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 112A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 15.93mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.2mm | |
| Højde | 4.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 112A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 15.93mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.2mm | ||
Højde 4.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
600V Cool MOS P7 super-junction MOSFET fortsætter med at afbalancere behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenlighed i designprocessen. Den bedste i sin klasse RonxA og den naturlige lave gate Charge (QG) på Cool MOS™ 7. Generation platformen sikrer sin høje effektivitet.
Den har en robust husdiode
Integreret RG reducerer MOSFET-vibrationsfølsomheden
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 112 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 37 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 50 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3