Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5 Nej IPP076N15N5AKSA1
- RS-varenummer:
- 214-4409
- Producentens varenummer:
- IPP076N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 146,08
(ekskl. moms)
Kr. 182,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 29,216 | Kr. 146,08 |
| 25 - 45 | Kr. 26,00 | Kr. 130,00 |
| 50 - 120 | Kr. 24,236 | Kr. 121,18 |
| 125 - 245 | Kr. 22,77 | Kr. 113,85 |
| 250 + | Kr. 21,048 | Kr. 105,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4409
- Producentens varenummer:
- IPP076N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 112A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 15.93 mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 112A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 15.93 mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
600V Cool MOS P7 super-junction MOSFET fortsætter med at afbalancere behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenlighed i designprocessen. Den bedste i sin klasse RonxA og den naturlige lave gate Charge (QG) på Cool MOS™ 7. Generation platformen sikrer sin høje effektivitet.
Den har en robust husdiode
Integreret RG reducerer MOSFET-vibrationsfølsomheden
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 112 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP076N15N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 100 A 150 V TO-220, OptiMOS™ IPP075N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 50 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP200N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP051N15N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP111N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 37 A 150 V TO-220 FP, OptiMOS™ 3 IPA105N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V TO-220, OptiMOS™ IPP023N08N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 80 A 60 V TO-220, OptiMOS™ IPP057N06N3GXKSA1
