Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 214-4409
- Producentens varenummer:
- IPP076N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 68,67
(ekskl. moms)
Kr. 85,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 13,734 | Kr. 68,67 |
| 25 - 45 | Kr. 12,222 | Kr. 61,11 |
| 50 - 120 | Kr. 11,40 | Kr. 57,00 |
| 125 - 245 | Kr. 10,712 | Kr. 53,56 |
| 250 + | Kr. 9,888 | Kr. 49,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4409
- Producentens varenummer:
- IPP076N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 112A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.4mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 112A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.4mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
600V Cool MOS P7 super-junction MOSFET fortsætter med at afbalancere behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenlighed i designprocessen. Den bedste i sin klasse RonxA og den naturlige lave gate Charge (QG) på Cool MOS™ 7. Generation platformen sikrer sin høje effektivitet.
Den har en robust husdiode
Integreret RG reducerer MOSFET-vibrationsfølsomheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 112 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 120 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 50 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 37 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 21 A 150 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3