Infineon N-Kanal, MOSFET, 200 A 40 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4467
- Producentens varenummer:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 4.435,20
(ekskl. moms)
Kr. 5.544,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.600 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 5,544 | Kr. 4.435,20 |
| 1600 + | Kr. 5,405 | Kr. 4.324,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4467
- Producentens varenummer:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.9mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.9mΩ | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Yderligere funktioner for dette design er en 175 °C junction-driftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret mærkeværdi for Repetitive Avalanche.
Det er blyfrit