Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 200 A 40 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4468
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-425
- Producentens varenummer:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 82,58
(ekskl. moms)
Kr. 103,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 6.220 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 8,258 | Kr. 82,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4468
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-425
- Producentens varenummer:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.9mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.9mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Yderligere funktioner for dette design er en 175 °C junction-driftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret mærkeværdi for Repetitive Avalanche.
Det er blyfrit
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 200 A 40 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 62 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 24 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V HEXFET