Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 120 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101 IPD50N12S3L15ATMA1
- RS-varenummer:
- 214-9038
- Producentens varenummer:
- IPD50N12S3L15ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 117,42
(ekskl. moms)
Kr. 146,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 11,742 | Kr. 117,42 |
| 20 - 90 | Kr. 10,764 | Kr. 107,64 |
| 100 - 240 | Kr. 9,933 | Kr. 99,33 |
| 250 - 490 | Kr. 9,23 | Kr. 92,30 |
| 500 + | Kr. 8,954 | Kr. 89,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9038
- Producentens varenummer:
- IPD50N12S3L15ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T-produkterne fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende anvendelser, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere. Disse er robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.
Det er AEC Q101-kvalificeret til brug i biler
100 % lavine-testet
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 50 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101 IPD70N12S311ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 30 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 30 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101 IPD30N10S3L34ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101 IPD35N10S3L26ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
