Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 214-9053
- Producentens varenummer:
- IPD80R750P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 120,195
(ekskl. moms)
Kr. 150,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.415 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 8,013 | Kr. 120,20 |
| 75 - 135 | Kr. 7,609 | Kr. 114,14 |
| 150 - 360 | Kr. 7,45 | Kr. 111,75 |
| 375 - 735 | Kr. 6,971 | Kr. 104,57 |
| 750 + | Kr. 6,493 | Kr. 97,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9053
- Producentens varenummer:
- IPD80R750P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 51W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 51W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon seneste 800V CoolMOS P7-serie sætter en ny standard inden for 800V superjunction-teknologier og kombinerer klassens bedste ydeevne med den art, der er mest brugervenlig, hvilket er resultatet af Infineons mere end 18 års banebrydende innovation inden for superjunction-teknologi. Disse er nemme at køre og parallelle, hvilket muliggør design med højere effekttæthed, BOM-besparelser og lavere monteringsomkostninger. Disse anbefales til hårde og bløde tilbageskiftende topologier til LED-belysning, laveringslys og adaptere, lyd, AUX-strøm og industriel strøm.
Den leveres med fuldt optimeret portefølje
Integreret Zener diode ESD-beskyttelse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-252, 800V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS P7