Infineon N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- RS-varenummer:
- 214-9070
- Producentens varenummer:
- IPL60R104C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 218,72
(ekskl. moms)
Kr. 273,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.965 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 43,744 | Kr. 218,72 |
| 10 - 20 | Kr. 39,39 | Kr. 196,95 |
| 25 - 45 | Kr. 36,772 | Kr. 183,86 |
| 50 - 120 | Kr. 34,572 | Kr. 172,86 |
| 125 + | Kr. 31,94 | Kr. 159,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9070
- Producentens varenummer:
- IPL60R104C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Emballagetype | VSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 104mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 122W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Emballagetype VSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 104mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 122W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS C7 er en revolutionerende teknologi til højspændings effekt MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. 600V CoolMOS C7 serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Disse er velegnede til hårde og bløde kontaktfunktioner. Den leveres med løsninger med øget effekttæthed takket være mindre pakker. Den indeholder optimerede løsninger til printmontering og layout.
Velegnet til hårde og bløde skift
SMD-hus med meget lav parasitisk selvinduktion for nem enhed kontrol
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 20 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 15 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 10 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 16 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 22.4 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 19.2 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6
- Infineon N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7