Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS C7
- RS-varenummer:
- 214-9070
- Producentens varenummer:
- IPL60R104C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 160,67
(ekskl. moms)
Kr. 200,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.965 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 32,134 | Kr. 160,67 |
| 10 - 20 | Kr. 28,918 | Kr. 144,59 |
| 25 - 45 | Kr. 27,002 | Kr. 135,01 |
| 50 - 120 | Kr. 25,388 | Kr. 126,94 |
| 125 + | Kr. 23,458 | Kr. 117,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9070
- Producentens varenummer:
- IPL60R104C7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Emballagetype | VSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 104mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 122W | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Emballagetype VSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 104mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 122W | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS C7 er en revolutionerende teknologi til højspændings effekt MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. 600V CoolMOS C7 serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. Disse er velegnede til hårde og bløde kontaktfunktioner. Den leveres med løsninger med øget effekttæthed takket være mindre pakker. Den indeholder optimerede løsninger til printmontering og layout.
Velegnet til hårde og bløde skift
SMD-hus med meget lav parasitisk selvinduktion for nem enhed kontrol
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 15 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 10 A 700 V Forbedring PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 19.2 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 22.4 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 16 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 35 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7