Infineon N-Kanal, MOSFET, 16 A 600 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS CFD7
- RS-varenummer:
- 214-9072
- Producentens varenummer:
- IPL60R160CFD7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 139,65
(ekskl. moms)
Kr. 174,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 27,93 | Kr. 139,65 |
| 25 - 45 | Kr. 25,418 | Kr. 127,09 |
| 50 - 120 | Kr. 23,726 | Kr. 118,63 |
| 125 - 245 | Kr. 22,08 | Kr. 110,40 |
| 250 + | Kr. 20,674 | Kr. 103,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9072
- Producentens varenummer:
- IPL60R160CFD7AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS CFD7 | |
| Emballagetype | VSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 95W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie CoolMOS CFD7 | ||
Emballagetype VSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 95W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. Den seneste CoolMOS CFD7 er efterfølgeren til CoolMOS CFD2-serien og er en optimeret platform, der er skræddersyet til bløde switching-applikationer som f.eks. Phase-SHIFT full-bridge (ZVS) og LLC. CoolMOS CFD7-teknologien opfylder de højeste standarder for effektivitet og pålidelighed og understøtter desuden løsninger med høj effekttæthed. CoolMOS CFD7 gør i alt resonante skiftende topologier mere effektive, mere pålidelige, lettere og mere køligere.
Ultra-hurtig husdiode
Lav portopladning
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 16 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 38 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 7 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 25 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 14 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 13 A 600 V Forbedring ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7