Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 22.4 A 600 V Forbedring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6
- RS-varenummer:
- 214-9074
- Producentens varenummer:
- IPL60R180P6AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 73,60
(ekskl. moms)
Kr. 92,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.950 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,72 | Kr. 73,60 |
| 50 - 120 | Kr. 14,002 | Kr. 70,01 |
| 125 - 245 | Kr. 13,404 | Kr. 67,02 |
| 250 - 495 | Kr. 13,076 | Kr. 65,38 |
| 500 + | Kr. 12,73 | Kr. 63,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9074
- Producentens varenummer:
- IPL60R180P6AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | VSON | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 176W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Længde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 8.1 mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype VSON | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 176W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Længde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 8.1 mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og er udviklet af Infineon Technologies. CoolMOS P6-serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET-leverandør med innovation i høj klasse. De tilbudte enheder giver alle fordelene ved en hurtig switching SJ MOSFET, uden at det går ud over brugervenligheden. Ekstremt lave koblings- og ledningstab gør switching-anvendelser endnu mere effektive, mere kompakte, lettere og køligere.
Forbedret MOSFET dv/dt robusthed
Nem at bruge/køre
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 22.4 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 19.2 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 16 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 53.5 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 23.8 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 13.8 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring VSON, CoolMOS