Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 360 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET
- RS-varenummer:
- 214-9123
- Producentens varenummer:
- IRF40SC240ARMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 144,96
(ekskl. moms)
Kr. 181,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.990 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 28,992 | Kr. 144,96 |
| 25 - 45 | Kr. 24,654 | Kr. 123,27 |
| 50 - 120 | Kr. 22,904 | Kr. 114,52 |
| 125 - 245 | Kr. 21,452 | Kr. 107,26 |
| 250 + | Kr. 19,718 | Kr. 98,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9123
- Producentens varenummer:
- IRF40SC240ARMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 360A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 417W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 366nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 360A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 417W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 366nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons nyeste 40 V stærke IRFET power MOSFET-enheder er optimeret til både høj strøm og lav RDS(on), hvilket gør dem til den ideelle løsning til anvendelser med høj strøm og batteristrøm. Den tilbyder designfleksibilitet med emballage i industristandard. Den kan yde immunitet over for falsk tænd i støjende miljøer.
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
God strømbelastningsevne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 360 A 40 V Forbedring TO-263, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 240 A 60 V Forbedring TO-263, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 363 A 60 V Forbedring TO-263, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V Forbedring TO-263, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 483 A 100 V Forbedring TO-247, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 97 A 100 V Forbedring TO-262, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 69 A 250 V Forbedring TO-247, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 300 V Forbedring TO-247, StrongIRFET