Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 363 A 60 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 12.056,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.072,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 800 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 +Kr. 15,07Kr. 12.056,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
220-7471
Producentens varenummer:
IRF60SC241ARMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

363A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-263

Serie

StrongIRFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

0.95mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

311nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.4W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.45 mm

Længde

10.2mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon

Lav RDS(on)

Håndterer høje strømstyrker

Hus i industristandard

Fleksibel benforbindelser

Optimeret til 10 V gate-drev

Reduktion af ledetab

Forøget effekttæthed

Drop-in erstatning til eksisterende enheder

Giver fleksibilitet i design

Giver immunitet over for falsk tænd i støjende miljøer

Relaterede links