Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 40 A 40 V Forbedring, 3 Ben, ISOMETRISK, StrongIRFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 71,81

(ekskl. moms)

Kr. 89,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 9.445 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 14,362Kr. 71,81
25 - 45Kr. 12,94Kr. 64,70
50 - 120Kr. 12,058Kr. 60,29
125 - 245Kr. 11,22Kr. 56,10
250 +Kr. 7,196Kr. 35,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
220-7474
Producentens varenummer:
IRF6613TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

ISOMETRISK

Serie

StrongIRFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

89W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.35mm

Højde

0.68mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon stærke IRFET effekt MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er ideelle til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje dækker en lang række anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden

Høj mærkestrøm

Mulighed for køling i to sider

Lav hushøjde på 0,7 mm

Lav parasitisk (1-2 NH) selvinduktion

Bred tilgængelighed fra distributionspartnere

Kvalifikationsniveau i henhold til branchestandard

God strømbelastningsevne

Optimal termisk ydelse

Kompakt formfaktor

Høj effektivitet

Miljøvenlig

Relaterede links