Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 40 A 40 V Forbedring, 3 Ben, ISOMETRISK, StrongIRFET
- RS-varenummer:
- 220-7474
- Producentens varenummer:
- IRF6613TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 71,81
(ekskl. moms)
Kr. 89,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 9.455 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 14,362 | Kr. 71,81 |
| 25 - 45 | Kr. 12,94 | Kr. 64,70 |
| 50 - 120 | Kr. 12,058 | Kr. 60,29 |
| 125 - 245 | Kr. 11,22 | Kr. 56,10 |
| 250 + | Kr. 7,196 | Kr. 35,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7474
- Producentens varenummer:
- IRF6613TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | ISOMETRISK | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Højde | 0.68mm | |
| Bredde | 5.05 mm | |
| Længde | 6.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype ISOMETRISK | ||
Serie StrongIRFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Højde 0.68mm | ||
Bredde 5.05 mm | ||
Længde 6.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon stærke IRFET effekt MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er ideelle til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje dækker en lang række anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Høj mærkestrøm
Mulighed for køling i to sider
Lav hushøjde på 0,7 mm
Lav parasitisk (1-2 NH) selvinduktion
Bred tilgængelighed fra distributionspartnere
Kvalifikationsniveau i henhold til branchestandard
God strømbelastningsevne
Optimal termisk ydelse
Kompakt formfaktor
Høj effektivitet
Miljøvenlig
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring ISOMETRISK, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 360 A 40 V Forbedring TO-263, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring TO-220, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-220, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring TO-247, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 363 A 60 V Forbedring TO-263, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 97 A 100 V Forbedring TO-262, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 240 A 60 V Forbedring TO-263, StrongIRFET