MPN

Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 40 A 40 V Forbedring, 3 Ben, ISOMETRISK, StrongIRFET Nej IRF6613TRPBF

RS-varenummer:: 220-7474
Producentens varenummer:: IRF6613TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 40 A 40 V Forbedring, 3 Ben, ISOMETRISK, StrongIRFET Nej IRF6613TRPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 93,84

(ekskl. moms)

Kr. 117,30

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

9.455 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 20	Kr. 18,768	Kr. 93,84
25 - 45	Kr. 16,89	Kr. 84,45
50 - 120	Kr. 15,768	Kr. 78,84
125 - 245	Kr. 14,646	Kr. 73,23
250 +	Kr. 9,38	Kr. 46,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 220-7474
Producentens varenummer:: IRF6613TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET og Diode
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	40A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	StrongIRFET
	Emballagetype	ISOMETRISK
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	3.5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	89W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	42nC
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Længde	6.35mm
	Højde	0.68mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	5.05 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET og Diode
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie StrongIRFET
	Emballagetype ISOMETRISK
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 89W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Længde 6.35mm
	Højde 0.68mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 5.05 mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IRF6613TRPBF

Infineon stærke IRFET effekt MOSFET-serie er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Enhederne er ideelle til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje dækker en lang række anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden

Høj mærkestrøm

Mulighed for køling i to sider

Lav hushøjde på 0,7 mm

Lav parasitisk (1-2 NH) selvinduktion

Bred tilgængelighed fra distributionspartnere

Kvalifikationsniveau i henhold til branchestandard

God strømbelastningsevne

Optimal termisk ydelse

Kompakt formfaktor

Høj effektivitet

Miljøvenlig

Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 40 A 40 V Forbedring, 3 Ben, ISOMETRISK, StrongIRFET Nej IRF6613TRPBF

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links