Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 363 A 60 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET Nej IRF60SC241ARMA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 54,55

(ekskl. moms)

Kr. 68,188

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.370 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 27,275Kr. 54,55
20 - 48Kr. 25,395Kr. 50,79
50 - 98Kr. 23,71Kr. 47,42
100 - 198Kr. 22,105Kr. 44,21
200 +Kr. 20,495Kr. 40,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
220-7472
Producentens varenummer:
IRF60SC241ARMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

363A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

StrongIRFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

0.95mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

311nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

2.4W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.4mm

Bredde

9.45 mm

Længde

10.2mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon

Lav RDS(on)

Håndterer høje strømstyrker

Hus i industristandard

Fleksibel benforbindelser

Optimeret til 10 V gate-drev

Reduktion af ledetab

Forøget effekttæthed

Drop-in erstatning til eksisterende enheder

Giver fleksibilitet i design

Giver immunitet over for falsk tænd i støjende miljøer

Relaterede links