Infineon N-Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

RS-varenummer:: 215-2461
Producentens varenummer:: BSC052N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 89,04

(ekskl. moms)

Kr. 111,30

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

4.790 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 +	Kr. 8,904	Kr. 89,04

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 215-2461
Producentens varenummer:: BSC052N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	95A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Serie	OptiMOS
	Emballagetype	SuperSO
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	5.2mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	32nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	83W
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 95A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Serie OptiMOS
	Emballagetype SuperSO
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 5.2mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 83W
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSC052N08NS5ATMA1

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 80 V maksimal drain source-spænding, 95 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC052N08NS5ATMA1

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til højstrømsskift i effektelektronik. Den er beregnet til anvendelser, der kræver effektiv ledning og hurtig omskiftning på tværs af et bredt omgivende område, og den leveres i en 8-benet SuperSO-pakke, der er velegnet til kompakte kortlayouts.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding på 5,2 mΩ, der giver reducerede ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm 95 A, der muliggør høj belastningshåndtering
• 80 V drain-source-klassificering understøtter mellemspændingsdesign
• 83 W maks. effekttab, der giver mulighed for vedvarende termisk belastning
• Typisk gate-opladning 32 nC for hurtigere skifteovergange
• Gate-source-tolerance 20 V til at rumme robuste drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til højeffektive DC-DC-omformere i strømskinner
• Ideel til synkron ensretning i strømforsyningstrin
• Anvendes til omskiftning af motordrevet halvbro og inverter
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømfordelingsmoduler
• Anvendes i industriel omskiftning, hvor der kræves et bredt temperaturområde

Hvilke ekstreme temperaturer kan enheden tolerere under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer.

Hvilken monteringsmetode og pakke skal jeg tillade på kortet?

Enheden leveres som en overflademonteret 8-benet SuperSO-pakke, så layouten skal rumme den termiske pude og SMD-jordingsmønsteret.

Hvordan opfører transistoren sig, når den drives med stærkere gate-spændinger?

Gate-source-spændingen er maks. 20 V

inden for, der begrænser højere driftsspændinger, reducerer RDS(on) og forbedrer ledningsevnen.

Hvilke koblingsegenskaber påvirker layoutet for højfrekvente design?

En typisk gate-ladning på 32 nC bestemmer gate-driverenergi og påvirker drivkredsløb og EMI-dæmpningsstrategier.