Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRF9530NSTRLPBF
- RS-varenummer:
- 215-2593
- Producentens varenummer:
- IRF9530NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 119,38
(ekskl. moms)
Kr. 149,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.760 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 5,969 | Kr. 119,38 |
| 100 - 180 | Kr. 5,67 | Kr. 113,40 |
| 200 - 480 | Kr. 5,434 | Kr. 108,68 |
| 500 - 980 | Kr. 5,194 | Kr. 103,88 |
| 1000 + | Kr. 4,832 | Kr. 96,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2593
- Producentens varenummer:
- IRF9530NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Distrelec Product Id | 304-39-418 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Distrelec Product Id 304-39-418 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-serien af femte generation af HEXFET fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand i Silicon-området. Disse fordele kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET er kendt for, giver en enhed med tilstrækkeligt niveau til, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser. D2PACK er en overflademonteret strømpakke, der kan rumme matricer i størrelser op til HEX-4. Den giver den højeste effekt og den lavest mulige modstand ved montering på overfladen i alle eksisterende overflademonterede huse. D2PACK er velegnet til anvendelser med høj strømstyrke på grund af sin lave interne tilslutningsmodstand og kan afgive op til 2,0 W i en typisk overflademonteret anvendelse.
Avanceret procesteknologi
Fuldt lavinenominel
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 14 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF9530NSTRLPBF
- Infineon P-Kanal 70 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905STRLPBF
- Infineon P-Kanal 74 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905SPBF
- Infineon P-Kanal 23 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF9540NSTRLPBF
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF6215STRLPBF
- Infineon P-Kanal 23 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF9540NSPBF
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V D2PAK (TO-263), HEXFET AUIRF6215STRL
- Infineon P-Kanal 38 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET AUIRF5210STRL