Nexperia P-Kanal, MOSFET, 3 A 30 V, 3 ben, SOT-223 BSP250,115

Brand

Nexperia

Kanaltype

P

Drain-strøm kontinuerlig maks.

3 A

Drain source spænding maks.

30 V

Kapslingstype

SOT-223

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

250 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2.8V

Mindste tærskelspænding for port

1V

Effektafsættelse maks.

1,65 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

10 nC ved 10 V

Transistormateriale

Si

Bredde

3.7mm

Længde

6.7mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur min.

-65 °C

Højde

1.7mm